AG贵宾厅

PCS高压直流母线平台
设备特性：

行业首创的BUCK/BOOST+LLC 技术（DSP 全数字控制）

采用第三代半导体GaN技术，实现多种充放电模式、高集成化

高压三电平技术控制，创新式采用原边串联，副边并联

模块体积小、高功率密度

通过单点式模块控制满足所有差异化需求

电池完全隔离，保证系统绝对安全

AC/DC参数：
产品型号 TT1-300M/TT1-400M
TT1-500M/TT1-800M
TT1-900M/TT1-1200M
交流参数 系统参数
额定交流功率 300-1200kVA 最大转换效率 98.50%
接线方式 三相三线 尺寸（宽×高×深） 1100*2160*800 mm
交流过载能力 330-1320kVA 重量 300kg
允许电网电压 380/400(-15%to15%)Vac 噪声 <75dB
允许电网频率 50/60(-2.5 to 2.5)Hz 防护等级 IP20
总电流谐波畸变率 ≤3% 允许环境温度 -20to60°C
功率因数 0.99/-1 to 1 冷却方式 风冷
直流参数   允许相对湿度 0-95%(无凝露)
最大直流功率 1200kW 允许海拔高度 3000m(大于3000m降额）
直流电压范围 600-800Vdc 通讯参数 
直流最大电流 1100A 通讯接口 RS 485, Ethernet, CAN
稳压精度 ≤±1% 通讯协议 Modbus TCP/RTU ,CAN2.0
稳流精度 ≤±1% BMS接入 支持
DC/DC参数：
系统规格 5V/100A 5V/160A 5V/200A 5V/12A 5V/300A 5V/400A
通道数量

28 / 32 / 36 / 48
电流电压精度

电流:±0.04%FS 电压:+1mV
模块充电效率

≥90%
模块放电效率

≥90%
通道特点

采用DSP全数字控制技术，具备41项个性化保护功能，模块标准化设计。模块间相互独立，采用高压控

流控压，三电平技术控制，第三代半导体（GaN）减小模块体积同时提高模块效率
充电电压范围

0-5000mV
放电电压范围

1000mV-5000mV
充电/敞电电流范围

（0.1%-100%）of FS
电压分辨率

0.1mV
电流分辨率

0.1mA
充电模式

恒流充电、恒压充电、恒流恒压充电
充电截止条件

电流、电压、时间
放电模式

恒流放电、恒压放电、恒流恒压放电
放电截止条件

电流、电压、时间
系统特点

1、高性价比:相较于传统电容设备,降低了输入侧线缆需求和设备成本

2、高效性:模块与电池采用紧邻式布局,缩短了功率走线长度,提高了系统效率

3、GaN技术应用:通过采用GaN技术,提升开关电源频率,缩小模块尺寸,厂房空间利用率显著提高

4、节能降本:PCS柜有效回收并利用放电能量,节能高达70%,削减电池生产成本